高精度電流傳感器指的是一種能夠達(dá)到較高精度的電流傳感器，行業(yè)內(nèi)并沒(méi)有對(duì)“高精度”“超高精度”等進(jìn)行嚴(yán)格界定，因?yàn)槠胀ɑ诨魻栐淼姆墙佑|電流傳感器精度大約在0.5%~1%~2%左右，所以一般可認(rèn)為0.1%或更高精度的電流傳感器為高精度電流傳感器。

一般我們利用磁通門(mén)原理制作高精度電流傳感器，磁通門(mén)電流傳感器是指利用磁通門(mén)原理制作的電流傳感器，可分為開(kāi)環(huán)磁通門(mén)電流傳感器、閉環(huán)磁通門(mén)電流傳感器，從結(jié)構(gòu)上也可分為開(kāi)口型磁通門(mén)電流傳感器和不開(kāi)口型磁通門(mén)電流傳感器等，從磁芯數(shù)量來(lái)說(shuō)又分為多種磁芯，。

 什么是磁通門(mén)原理？

磁通門(mén)原理其實(shí)質(zhì)是易飽和磁芯在激勵(lì)電流的作用下電感量隨激勵(lì)電流大小而變化，而電感量的變化導(dǎo)致磁通量的變化，磁通量就像門(mén)一樣被打開(kāi)或關(guān)上，因此被形象的稱(chēng)之為磁通門(mén)原理（Flux Gate）。

詳細(xì)講解如下：

電感量 = N2 m0 mr •k

  k為與尺寸相關(guān)參數(shù)

  u0是真空磁導(dǎo)率

  ur是相對(duì)磁導(dǎo)率

當(dāng)給激勵(lì)線圈施加一個(gè)電壓信號(hào)時(shí)，如圖：

其內(nèi)部的激勵(lì)電流變化按照充電曲線，Ish(t) = (1 - e t /(L/R)) x U/R 變化，隨著I（sh）的增加，磁芯接近飽和，電感量急劇減小，電流則急劇增大。

當(dāng)被測(cè)量的電流Ip=0時(shí)，磁芯中完整的激勵(lì)電壓信號(hào)，以及線圈內(nèi)的激勵(lì)電流，如下所示：

當(dāng)被測(cè)量電流Ip≠0時(shí)（此圖為Ip>0），激勵(lì)電流Ish和外界電流Ip同時(shí)作用于磁芯，其飽和會(huì)提前，電感量會(huì)提前減小，或者說(shuō)電流波形不再對(duì)稱(chēng)，有偶次諧波電流產(chǎn)生。

其不對(duì)稱(chēng)的程度，取決于被測(cè)電流Ip的大小，通過(guò)對(duì)電流Ish的波形進(jìn)行處理，我們可以得到與Ip電流成比例的電壓或電流信號(hào)，這就完成了對(duì)電流Ip的測(cè)量，即為磁通門(mén)電流傳感器的開(kāi)環(huán)原理。

下圖是FDIB-C16實(shí)測(cè)波形，以供參考。

閉環(huán)磁通門(mén)的原理：

如果將磁通門(mén)激勵(lì)電流產(chǎn)生的二次諧波信號(hào)放大后驅(qū)動(dòng)補(bǔ)償線圈，使得聚磁磁芯中的磁通與原邊電流產(chǎn)生的磁通相互抵消，保持為“零”，即所謂“零磁通”狀態(tài)（對(duì)于HPIT系列的磁通門(mén)磁環(huán)中的磁通并不是零，而是一種無(wú)二次諧波的對(duì)稱(chēng)波形）。如下圖，則稱(chēng)之為閉環(huán)磁通門(mén)電流傳感器，如下圖所示（此處的磁通門(mén)探頭的作用與霍爾元件是一樣的）：

磁通門(mén)電流傳感器從結(jié)構(gòu)上分各種形式，下面是幾種最常見(jiàn)的樣式：

a 單磁環(huán)： 通常測(cè)直流或低頻，量程有限(LB,  FDIB-C16，F(xiàn)LB-C15, FLB-C10 等系列)

b 雙磁環(huán)：交直流均可測(cè)，AC+DC模式 （FV-C53系列）

c 多磁環(huán)嵌套：業(yè)界最高精度，最純凈的電流測(cè)量方式（HPIT系列）

d 屏蔽雙磁環(huán)：磁探針（相當(dāng)于小磁環(huán)）取代HALL，xMR等，簡(jiǎn)單方便

柏艾斯對(duì)磁通門(mén)原理有深入了解，已經(jīng)發(fā)展出基于各種結(jié)構(gòu)的磁通門(mén)電流傳感器系列。

由于磁通門(mén)特有的超高磁靈敏性，基于磁通門(mén)原理的電流傳感器也具有了獨(dú)特的特點(diǎn)：

高靈敏性，測(cè)量精度比普通霍爾原理高很多，又因?yàn)榇磐ㄩT(mén)探頭基于磁性材料，具有遠(yuǎn)比霍爾原理更穩(wěn)定的溫度特性。

具體到柏艾斯的高精度電流傳感器，為什么精度會(huì)這么高？

原因一： 磁通門(mén)原理的高靈敏性。

原因二： 閉環(huán)磁平衡技術(shù)，輸出嚴(yán)格按照匝比對(duì)應(yīng)關(guān)系。

原因三： 磁通門(mén)原理使用整體磁芯，不帶任何氣隙，因此無(wú)漏磁，亦沒(méi)有位置誤差。

原因四： 雙磁通門(mén)探頭設(shè)計(jì)，補(bǔ)償并消除磁通門(mén)探頭振蕩諧波影響，輸出更干凈。

原因五： 零點(diǎn)失調(diào)offset更小，并且可微調(diào)。

我們僅列出部分型號(hào)供參考，如需詳細(xì)了解，請(qǐng)聯(lián)系我公司技術(shù)團(tuán)隊(duì)或銷(xiāo)售團(tuán)隊(duì)。

	型           號(hào)：HPIT-C61-100S 輸入量程：100Arms 輸出量程：100mA 供電電壓：±15Vdc 精           度：0.001% 孔           徑：Φ27mm
	型          號(hào)：HPIT-C19-500S 測(cè)量原理：閉環(huán)磁通門(mén)測(cè)量原理 輸入量程：500Arms 輸出量程：500mA 供電電壓：±15~24Vdc 精          度：0.001% 孔徑大小：Φ30mm
	型          號(hào)：HPITM-C23-100P4O10 測(cè)量原理：閉環(huán)磁通門(mén)測(cè)量原理 輸入量程：100Arms 輸出量程：100mA 供電電壓：±15Vdc 精          度：0.01% 孔徑大小：Φ30mm
	型          號(hào)：HPITM-C32-1000P5O16 測(cè)量原理：閉環(huán)磁通門(mén)測(cè)量原理 輸入量程：1000Arms 輸出量程：500mA 供電電壓：±15~24Vdc 精          度：0.01% 孔徑大小：Φ40.5mm
	型          號(hào)：HPITM-C40-3000P4O61 測(cè)量原理：閉環(huán)磁通門(mén)測(cè)量原理 輸入量程：3000Arms 輸出量程：1500mA 供電電壓：±15~24Vdc 精          度：0.001% 孔徑大小：Φ60.5mm

柏艾斯是全國(guó)為數(shù)不多的能夠提供測(cè)量方案的電量測(cè)量傳感器廠家，擁有超過(guò)15年的技術(shù)積淀，用戶(hù)可以提出各種技術(shù)要求，我們會(huì)竭盡全力滿(mǎn)足要用戶(hù)要求。

……..

---

             柏艾斯4大廠家優(yōu)勢(shì)           

打造可靠好產(chǎn)品

進(jìn)口設(shè)備原材料來(lái)自國(guó)外品牌產(chǎn)品ADVANCED EQUIPMENT 柏艾斯的生產(chǎn)設(shè)備及測(cè)量設(shè)備多采用歐美品牌，如FLUKE，安捷倫電流源等 柏艾斯原材料多采用國(guó)外品牌產(chǎn)品，如DOW灌封料，TI芯片，ASIC芯片等。

廠家定制產(chǎn)品型號(hào)齊全CUSTOMIZATION  根據(jù)客戶(hù)需求可定制不同的外形、磁芯、參數(shù)甚至專(zhuān)屬設(shè)備因?yàn)槎ㄖ疲愿m合客戶(hù)應(yīng)用 產(chǎn)品型號(hào)齊全，包含霍爾電流傳感器，霍爾電壓傳感器，電流變送器、電壓變送器、功率變送器、漏電流變送器等。

技術(shù)優(yōu)良多項(xiàng)專(zhuān)利為證COMPANY KNOWHOW 柏艾斯掌握多種電測(cè)量技術(shù)，擁有多項(xiàng)專(zhuān)利技術(shù)，如電磁隔離技術(shù)，霍爾零磁通技術(shù)，磁通門(mén)技術(shù)，柔性羅氏線圈技術(shù)等。

售后保障無(wú)微不至好服務(wù)HIGH-QUALITY SERVICE 售前確認(rèn)需求，先定制樣品確認(rèn)，再批量生產(chǎn) 柏艾斯提供可定制化產(chǎn)品服務(wù)，滿(mǎn)足非標(biāo)要求 顧問(wèn)式銷(xiāo)售，確保產(chǎn)品應(yīng)用場(chǎng)景，不走彎路